الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB16CN10N G
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB16CN10N G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 53A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13064007
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB16CN10N G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
53A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16.5mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 61µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3220 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB16C
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPx16CN10N G
مخططات البيانات
IPB16CN10N G
ورقة بيانات HTML
IPB16CN10N G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000096452
IPB16CN10N G-ND
IPB16CN10NG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB80NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
775
DiGi رقم الجزء
STB80NF10T4-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN015-100B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2021
DiGi رقم الجزء
PSMN015-100B,118-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN016-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3321
DiGi رقم الجزء
PSMN016-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FQB55N10TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQB55N10TM-DG
سعر الوحدة
0.94
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFS4510TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2680
DiGi رقم الجزء
IRFS4510TRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ300N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
IPL60R085P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON
IPB14N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
IPD068N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3